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倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu B;  Zhang Z;  Zhang R;  Fu DY;  Xie ZL;  Lu H;  Schaff WJ;  Song LH;  Cui YC;  Hua XM;  Han P;  Zheng YD;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang, R, Nanjing Univ, Dept Phys, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing Natl Lab Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1437/336  |  提交时间：2010/04/28
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SJ (Wang Shi-Jiang);  Lin JD (Lin Jian-Dong);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Yang YD (Yang Yue-De);  Che KJ (Che Kai-Jun);  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Du Y (Du Yun);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Wang, SJ, Chinese AcadSci, InstSemicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
Adobe PDF(205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1884/279  |  提交时间：2010/11/14
Directional Emission InGaAsP/InP Mirocylinder Lasers 会议论文
2010 IEEE PHOTONICS SOCIETY WINTER TOPICALS MEETING SERIES, Majorca, SPAIN, 2010-01
作者:  Wang SJ (Wang Shi-Jiang);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Yang YD (Yang Yue-De);  Lin JD (Lin Jian-Dong);  Du Y (Du Yun);  Wang, SJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(543Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1694/336  |  提交时间：2010/12/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SJ (Wang Shi-Jiang);  Yang YD (Yang Yue-De);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
Adobe PDF(334Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1074/286  |  提交时间：2010/07/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xue HY (Xue Hai-Yun);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Yu YD (Yu Yu-De);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Xue, HY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xuehy@semi.ac.cn;  cbw@semi.ac.cn
Adobe PDF(427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1137/245  |  提交时间：2010/11/01
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SJ (Wang Shi-Jiang);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Yang YD (Yang Yue-De);  Lin JD (Lin Jian-Dong);  Che KJ (Che Kai-Jun);  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Du Y (Du Yun);  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
Adobe PDF(614Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：993/246  |  提交时间：2010/04/28
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Wang SJ (Wang Shi-Jiang);  Yang YD (Yang Yue-De);  Lin JD (Lin Jian-Dong);  Che KJ (Che Kai-Jun);  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Du Y (Du Yun);  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: yzhuang@semi.ac.cn
Adobe PDF(1283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1039/258  |  提交时间：2010/10/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang YD (Yang Yuede);  Wang SJ (Wang Shijiang);  Huang YZ (Huang Yongzhen);  Yang, YD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yyd@semi.ac.cn
Adobe PDF(305Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：840/260  |  提交时间：2010/06/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SJ;  Huang YZ;  Yang YD;  Hu YH;  Xiao JL;  Du Y;  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: yzhuang@semi.ac.cn
Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1112/344  |  提交时间：2010/04/05