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InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 4009
发明人:  吴孟
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一种基于仿生模式识别的声纹识别方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  吴丽丽;  王守觉 
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在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  高福宝;  陈诺夫;  吴金良;  刘 磊 
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混合集成单纤三向器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  安俊明;  吴远大;  李建光;  李俊一;  胡雄伟 
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采用非平面工艺制备硅线波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  安俊明;  吴远大;  李建光;  李俊一;  胡雄伟
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单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  刘 磊;  陈诺夫;  曾湘波;  张 汉;  吴金良;  高福宝
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表面等离子体共振与表面波传感研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  於丰
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Si(111)衬底上GaN薄膜的生长及应变调控研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  吴玉新
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基于高维仿生信息学的说话人识别研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  吴丽丽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, QY (Lin, Qingyu);  Miao, W (Miao, Wei);  Zhang, WC (Zhang, Wancheng);  Fu, QY (Fu, Qiuyu);  Wu, NJ (Wu, Nanjian);  Wu, NJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qylin@red.semi.ac.cn;  nanjian@red.semi.ac.cn
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