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在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  高福宝;  陈诺夫;  吴金良;  刘 磊 
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单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  刘 磊;  陈诺夫;  曾湘波;  张 汉;  吴金良;  高福宝
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang JR;  Hu M;  Wang XD;  Li GK;  Ji A;  Yang FH;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD;  Liang JR Tianjin Univ Sch Elect & Informat Engn Tianjin 300072 Peoples R China. E-mail Address: liang_jiran@tju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁继然;  胡明;  王晓东;  李贵柯;  季安;  杨富华;  刘剑;  吴南健;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  安胜彪;  文环明;  武瑞红;  王晓君;  王晓亮
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