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一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周盛华;  吴南健;  杨志超
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参数化FPGA 设计与验证 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  杨志超
Adobe PDF(3731Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：793/10  |  提交时间：2009/04/13