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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
作者
韩伟华 [1]
刘剑 [1]
张杨 [1]
文献类型
专利 [5]
期刊论文 [4]
发表日期
2007 [9]
语种
中文 [6]
英语 [3]
出处
CHINESE PH... [1]
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共9条,第1-9条
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发表日期:2007
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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55
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65
70
75
80
85
90
95
100
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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提交时间降序
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采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马龙
;
杨富华
;
王良臣
;
黄应龙
Adobe PDF(867Kb)
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浏览/下载:1261/161
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提交时间:2009/06/11
光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈海波
;
李兆峰
;
陈建军
;
杨富华
;
封松林
;
郑厚植
Adobe PDF(606Kb)
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浏览/下载:1364/168
  |  
提交时间:2009/06/11
基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马龙
;
王良臣
;
杨富华
Adobe PDF(762Kb)
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浏览/下载:1033/129
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提交时间:2009/06/11
通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韩伟华
;
张扬
;
刘剑
;
杨富华
Adobe PDF(871Kb)
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浏览/下载:1191/159
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提交时间:2009/06/11
光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李桂荣
;
郑厚植
;
杨富华
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浏览/下载:988/144
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou Y (Zhou Yue)
;
Zhang GF (Zhang Guo-Feng)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
;
Feng SL (Feng Song-Lin)
;
Zhang, GF, Beijing Univ Aeronaut & Astronaut, Sch Sci, Dept Phys, Xueyuan Rd 37, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang@buaa.edu.cn
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浏览/下载:766/227
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu YH (Liu Yong-Hui)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
;
Feng SL (Feng Song-Lin)
;
Liu, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuyh@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:930/261
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gong, J (Gong, Jain)
;
Yang, FH (Yang, Fu-Hua)
;
Feng, SL (Feng, Song-Lin)
;
Gong, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ndgong@imu.edu.cn
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浏览/下载:540/150
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
马龙
;
张杨
;
戴扬
;
杨富华
;
曾一平
;
王良臣
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浏览/下载:1078/337
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提交时间:2010/11/23