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| 具有大绝对带隙的二维光子晶体 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 龚春娟; 胡雄伟
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| 正方晶格二维光子晶体 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 龚春娟; 胡雄伟
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| 背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚 ; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 提高铝镓氮材料质量的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚 ; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 低维半导体异质结构中电子隧穿的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007 作者: 宫箭
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 龚春娟; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 高玉竹; 龚秀英; 陈涌海 ; 吴俊
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