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在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  陈晨龙
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CT;  Chen NF;  Gao FB;  Zhang XW;  Chen CL;  Wu JL;  Yu YD;  Peng, CT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ctpeng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL;  Jin P;  Ye XL;  Zhang CL;  Shi GX;  Li RY;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang, YL, Beijing Tongmei Xtal Technol Co Ltd, Dept Res & Dev, Beijing Tongzhou Ind Dev Zone, Beijing 101113, Peoples R China. E-mail: wangyli@red.semi.ac.cn
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