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半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾宇昕;  王水凤;  杨富华;  曾庆城
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li C (Li Chun);  Fang GJ (Fang Guojia);  Fu Q (Fu Qiang);  Su FH (Su Fuhai);  Li GH (Li Guohua);  Wu XG (Wu Xiaoguang);  Zhao XZ (Zhao Xingzhong);  Fang, GJ, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. E-mail: gjfang@whu.edu.cn
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