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具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  潘教青;  王宝军;  陈娓兮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W (Feng W.);  Ding Y (Ding Y.);  Pan JQ (Pan J. Q.);  Zhao LJ (Zhao L. J.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Wang W (Wang W.);  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wfeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH (Su F. H.);  Liu YF (Liu Y. F.);  Chen W (Chen W.);  Wang WJ (Wang W. J.);  Ding K (Ding K.);  Li GH (Li G. H.);  Joly AG (Joly A. G.);  McCready DE (McCready D. E.);  Chen, W, Univ Texas, Dept Phys, POB 19059, Arlington, TX 76019 USA. E-mail: fhsu@red.semi.ac.cn;  wchen@nomadics.com;  ghli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  潘教青;  赵谦;  朱洪亮;  赵玲娟;  丁颖;  王宝军;  周帆;  王鲁峰;  王圩
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