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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1220/178  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao C (Zhao C.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Zhao M (Zhao Man);  Zhang CL (Zhang C. L.);  Xu B (Xu B.);  Yu LK (Yu L. K.);  Sun J (Sun J.);  Lei W (Lei W.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: czhao@semi.ac.cn
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