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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [3]
作者
韩伟华 [1]
汪炼成 [1]
叶小玲 [1]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [3]
发表日期
2008 [1]
2000 [2]
语种
英语 [3]
出处
2008 5TH I... [1]
OPTICAL IN... [1]
PHYSICA E,... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
资助机构
China Opt ... [1]
IEEE.; Inf... [1]
Lab Semico... [1]
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SEMI OpenIR
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Fabrication method of silicon nanostructures by anisotropic etching
会议论文
2008 5TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Sorrento, ITALY, SEP 17-19, 2008
作者:
Han, WH
;
Yang, X
;
Wang, Y
;
Yang, FH
;
Yu, JZ
;
Han, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1344/368
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提交时间:2010/03/09
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Zhou W
;
Ding D
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(320Kb)
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浏览/下载:1483/285
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dots
High Index
Molecular Beam Epitaxy
Photoluminescence
Surface Segregation
Oriented Gaas
Ingaas
Islands
Wells
Disks
A model of dislocations at the interface of the bonded wafers
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Han WH
;
Yu JZ
;
Wang LC
;
Wei HZ
;
Zhang XF
;
Wang QM
;
Han WH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(76Kb)
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浏览/下载:1632/266
  |  
提交时间:2010/10/29
Wafer Bonding
Heteroepitaxy
Lattice Mismatch
Edge-like Dislocations
Thermal Stress
60 Degrees Dislocation Lines
Gaas