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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1999 [1]
语种
英语 [4]
出处
FERROELECT... [1]
JOURNAL OF... [1]
MAGNETISM,... [1]
PHYSICA ST... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [4]
资助机构
China Natl... [1]
Fundacao A... [1]
会议主办方: UNI... [1]
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收录类别:CPCI\-S
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:
Li Q
;
Fang ZL
;
Xu SJ
;
Li GH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Zhang XH
;
Liu W
;
Chua SJ
;
Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Piezoelectric Field
Photoluminescence
Temperature
Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD
会议论文
FERROELECTRICS, 271, MADRID, SPAIN, SEP 03-07, 2001
作者:
Wang H
;
Shang SX
;
Yao WF
;
Hou Y
;
Xu XH
;
Wang D
;
Wang M
;
Yu JZ
;
Wang H Shandong Univ State Key Lab Crystal Mat Jinan 250100 Peoples R China.
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浏览/下载:1139/178
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提交时间:2010/11/15
Bi2ti2o7
Thin Film
Mocvd
(111) Orientation
Chemical-vapor-deposition
Crystal Thin-films
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
;
Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
X-ray Diffraction
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Phase
Films
Crystallographic and magnetic properties of hydride R3Fe29-xTxHy (R=Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb and Dy; T=V and Cr)
会议论文
MAGNETISM, MAGNETIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS, 302-3, SAO PAULO, BRAZIL, JUN 07-11, 1998
作者:
Han XF
;
Lin LY
;
Baggio-Saitovitch E
;
Xu RG
;
Wang XH
;
Pan HG
;
Han XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Magnetic Properties
Hydride
Hydrogenation
Saturation Magnetization
Curie Temperature
First-order Magnetization Process
R3fe29-xtxhy
r = y