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| InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 刘炜
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Ingan 量子阱 薄膜 极化效应 局域态 本底载流子浓度 |
| 微晶硅薄膜太阳电池 n/i 界面的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 李敬彦
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 于丽娟,晏磊
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| GaAs/InP 键合技术研究及其太阳电池应用 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 晏磊
Adobe PDF(1902Kb) | 收藏 | 浏览/下载：970/65 | 提交时间：2010/06/07 |
| 一种双结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531394.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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| 一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 姚文杰; 曾湘波; 彭文博; 刘石勇; 谢小兵; 王超; 杨萍
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| 一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531371.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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| 用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128380.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 晏磊; 于丽娟
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| 一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256972.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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