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| 高灵敏快速氮化镓基紫外光电探测器研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 胡天贵
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| 光学共振增强 GaN 基光电器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 刘昌
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| Ⅲ族氮化物异质结界面二维空穴气的第一性原理计算 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 何慧卉
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 彭轶瑶
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 王琦
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Dong ; Lou Wen -Kai ; Chang Kai
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| CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 相琳琳
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第一性原理计算 电子结构性质 单轴应变 Ii-vi族半导体材料 纳米线 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241698.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 李京波; 纪攀峰; 朱峰
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