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Fabrication and characterization of normally-off AlGaNGaN HEMTs 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  Aqdas Fariza
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无权访问的条目 学位论文
作者:  陆兴东
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高可靠性GaN基阵列式交直流LED研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  田婷
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GaN材料掺杂特性及LED器件droop效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  付丙磊
Adobe PDF(6373Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1442/91  |  提交时间：2015/06/03