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制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29
发明人:  杨冠东;  朱峰;  李京波
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一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  赵建华;  王海龙
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