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SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  顾宇翔
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半导体带电缺陷计算与超快光致相变机制研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  索曌君
Adobe PDF(23395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：415/3  |  提交时间：2022/07/26