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LED照明的LCD背光源结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁萌;  王国宏;  范曼宁;  郭德博
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang WZ;  Deng JJ;  Lu J;  Sun BQ;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XW;  Fan, WJ;  Li, SS;  Xia, JB;  Zhang, XW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu YH;  Xia JB;  Zhu, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：703/234  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng JJ;  Zhao JH;  Tan PH;  Bi JF;  Gan HD;  Niu ZC;  Wu XG;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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注Mn InAs/GaAs 量子点光电磁性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  胡良均
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XW;  Fan, WJ;  Li, SS;  Xia, JB;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn;  ewjfan@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan HD;  Zheng HZ;  Deng JJ;  Bi JF;  Zhu H;  Ji Y;  Tan PH;  Yang FH;  Zhao JH;  Gan, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hdgan@red.semi.ac.cn;  hzzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu LJ;  Chen YH;  Ye XL;  Huang XQ;  Liang LY;  Ding F;  Wang ZG;  Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu LJ (Hu Liang-Jun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
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