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中国科学院半导体研究所机构知识库
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2006 [3]
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发表日期:2006
语种:英语
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Photoluminescence mechanism of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix
会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:
Wang XX (Wang Xiaoxin)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Porous Silicon
Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jykang@xmu.edu.cn
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提交时间:2010/03/29
Defects
Direct Wafer Bonding Technology employing vacuum-cavity pre-bonding
会议论文
Optoeletronic Materials and Devices丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Gwangju, SOUTH KOREA, SEP 05-07, 2006
作者:
Yang GH (Yang Guohua)
;
He GR (He Guorong)
;
Zheng WH (Zheng Wanhua)
;
Chen LH (Chen Lianghui)
;
Yang, GH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1303Kb)
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提交时间:2010/03/29