×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
作者
江德生 [2]
文献类型
会议论文 [12]
发表日期
2002 [12]
语种
英语 [12]
出处
COMMAD 200... [4]
INTERNATIO... [4]
MATERIALS ... [2]
CURRENT AP... [1]
INTERNATIO... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [12]
资助机构
Ansto Sims... [4]
Chinese Ma... [4]
Res Ctr Ju... [1]
会议主办方: DON... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2002
语种:英语
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Chen WD
;
Wang YQ
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(265Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1378/291
  |  
提交时间:2010/10/29
Photoluminescence
Luminescence
Spectroscopy
Deposition
Optical study of electronic states in GaAsN
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Luo XD
;
Yang CL
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(188Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1626/265
  |  
提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Temperature Photoluminescence
Quantum-well
Alloys
Relaxation
Gaas1-xnx
Optical properties of AIInGaN quaternary alloys
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Huang JS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(248Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1526/242
  |  
提交时间:2010/10/29
Light-emitting-diodes
Localized Excitons
Luminescence
Relaxation
Silicon
Band
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(319Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1260/201
  |  
提交时间:2010/11/15
Si-ge Alloys
Growth
Layers
Correlation between Er3+ emission and the microstructure of a-SiOx : H < Er > films
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Chen CY
;
Chen WD
;
Song SF
;
Hsu CC
;
Chen CY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(726Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1188/182
  |  
提交时间:2010/11/15
Hydrogenated Amorphous-silicon
Photoluminescence
Luminescence
Intensity
System
Type-II SiGe/Si MQWS (multi-quantum wells) and self-organized Ge/Si islands grown by UHV/CVD system
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Yu JZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Zuo YH
;
Luo LP
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(1587Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1231/164
  |  
提交时间:2010/11/15
Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wei WS
;
Wang TM
;
Zhang CX
;
Li GH
;
Han HX
;
Ding K
;
Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(860Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1156/213
  |  
提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
;
Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
Adobe PDF(179Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1716/289
  |  
提交时间:2010/11/15
Indium Phosphide
Semi-insulating
Annealing
Picts
Photoluminescence
Semiinsulating Inp
Indium-phosphide
Fe
Photoluminescence
Temperature
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
;
Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
Adobe PDF(133Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1303/238
  |  
提交时间:2010/11/15
Defects
Gan
Photoluminescence
Electronic Structures
Yellow Luminescence
Epitaxial-films
Mg
Studies of 6H-SiC devices
会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:
Wang SR
;
Liu ZL
;
Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:983/0
  |  
提交时间:2010/11/15
Sic
Schottky
Pn Junction Diodes
Mos Capacitor
Junction Diodes