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中国科学院半导体研究所机构知识库
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出处:INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29)
发表日期:2002
语种:英语
文献类型:会议论文
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Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Si-ge Alloys
Growth
Layers
Correlation between Er3+ emission and the microstructure of a-SiOx : H < Er > films
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Chen CY
;
Chen WD
;
Song SF
;
Hsu CC
;
Chen CY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(726Kb)
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提交时间:2010/11/15
Hydrogenated Amorphous-silicon
Photoluminescence
Luminescence
Intensity
System
Type-II SiGe/Si MQWS (multi-quantum wells) and self-organized Ge/Si islands grown by UHV/CVD system
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Yu JZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Zuo YH
;
Luo LP
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wei WS
;
Wang TM
;
Zhang CX
;
Li GH
;
Han HX
;
Ding K
;
Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon