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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
江德生 [6]
张加勇 [1]
张艳华 [1]
文献类型
会议论文 [6]
发表日期
2004 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1997 [1]
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语种
英语 [6]
出处
1997 IEEE ... [1]
COMMAD 200... [1]
COMPOUND S... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
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资助项目
收录类别
CPCI-S [6]
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China Natl... [1]
IEEE Elect... [1]
IEEE.; Mot... [1]
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收录类别:CPCI\-S
作者:江德生
第一作者
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
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0
)
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80
85
90
95
100
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期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Chang K
;
Bian LF
;
Sun BQ
;
Wang JB
;
Johnson S
;
Zhang Y
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1512/272
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提交时间:2010/10/29
Lasers
Gain
Gaas
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun BQ
;
Jiang DS
;
Pan Z
;
Li LH
;
Wu RH
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Semiconducting Iiiv Materials
Luminescence
Gaasn
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Yu GH
;
Fan XW
;
Guan ZP
;
Zhang JY
;
Zhao XW
;
Shen DZ
;
Zheng ZH
;
Yang BJ
;
Jiang DS
;
Chen YB
;
Zhu ZM
;
Yu GH Chinese Acad Sci Lab Excited State Proc Changchun 130021 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Double Multi-quantum Wells
Photocurrent Spectra
Zncdse-znse
Spectroscopy
Photoluminescence
Heterostructures
Photodetectors
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1997, 156, SAN DIEGO, CALIFORNIA, SEP 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
;
Ramsteiner M
;
Brandt O
;
Ploog KH
;
Tews H
;
Graber A
;
Averbeck R
;
Riechert H
;
Jiang DS Paul Drude Inst Solid State Elect D-10117 Berlin Germany.
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提交时间:2010/11/15
Shallow Donors
Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors
会议论文
1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, HONG KONG, HONG KONG, 35672
作者:
Wu WG
;
Jiang DS
;
Cui LQ
;
Song CY
;
Zhuang Y
;
Wu WG Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15