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A study on GaP/Si heterostructures grown by GS-MBE 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Yu JZ;  Chen BW;  Yu Z;  Wang QM;  Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Gap/si Heterostructure  Gs-mbe  Lattice Match  X-ray Double Crystal Diffraction  Photoluminescence (Pl)  
On the nature of iron in InP: A FTIR study 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Han YJ;  Liu XL;  Lao JH;  Lin LY;  Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1306/265  |  提交时间：2010/10/29
Iron  Phonon Sideband  Semi-insulating  Inp