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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
作者
安俊明 [2]
张兴旺 [1]
文献类型
专利 [5]
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会议论文 [1]
发表日期
2006 [9]
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共9条,第1-9条
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发表日期:2006
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
彭长涛
;
陈诺夫
;
吴金良
;
尹志冈
;
杨霏
Adobe PDF(349Kb)
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浏览/下载:1321/150
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提交时间:2009/06/11
制备稀磁半导体Ga
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈晨龙
;
陈诺夫
;
吴金良
Adobe PDF(240Kb)
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浏览/下载:1030/171
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提交时间:2009/06/11
在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
彭长涛
;
陈诺夫
;
吴金良
;
陈晨龙
Adobe PDF(333Kb)
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浏览/下载:1053/170
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提交时间:2009/06/11
磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈晨龙
;
陈诺夫
;
吴金良
Adobe PDF(328Kb)
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浏览/下载:871/129
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提交时间:2009/06/11
紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
夏君磊
;
吴远大
;
安俊明
;
郜定山
;
李健
;
龚春娟
;
胡雄伟
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浏览/下载:1363/146
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提交时间:2009/06/11
Mode analysis of the UV-written channel waveguide - art. no. 60340J
会议论文
ICO20 Optical Design and Fabrication丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Xia JL
;
Wu YD
;
An JM
;
Li J
;
Gao DS
;
Hu XW
;
Xia, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev, Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1303/296
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提交时间:2010/03/29
Uv-written
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng CT
;
Chen NF
;
Gao FB
;
Zhang XW
;
Chen CL
;
Wu JL
;
Yu YD
;
Peng, CT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ctpeng@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1075/331
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
吴远大
;
夏君磊
;
安俊明
;
李建光
;
王红杰
;
胡雄伟
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浏览/下载:619/207
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
夏君磊
;
吴远大
;
安俊明
;
郜定山
;
李健
;
胡雄伟
Adobe PDF(256Kb)
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浏览/下载:943/288
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提交时间:2010/11/23