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| 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1324/201  |  提交时间:2012/09/09 |
| 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1260/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1029/103  |  提交时间:2014/12/25 |
| ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 施辉东; 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 刘鑫 Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:910/92  |  提交时间:2014/10/29 |
| 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:813/1  |  提交时间:2016/09/12 |
| 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:736/2  |  提交时间:2016/09/29 |
| AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:615/5  |  提交时间:2016/09/22 |
| 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 发明人: 郭菲; 陆丹; 张瑞康; 王会涛; 王圩; 吉晨 Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:738/3  |  提交时间:2016/09/22 |
| 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 孔苏苏; 李辉杰; 冯玉霞; 赵桂娟; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:632/3  |  提交时间:2016/08/30 |