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| 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1236/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种光瞬态自动测试系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 蒋波; 卢励吾; 张砚华 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1085/119  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1169/157  |  提交时间:2009/06/11 |
| 带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1225/187  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体材料电信号测试装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张砚华; 卢励吾; 葛惟昆 Adobe PDF(261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1414/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 变温的高阻半导体材料光电测试装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张砚华; 卢励吾; 樊志军 Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1227/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种控温的半导体光电特性测试样品架 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 1999-07-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张砚华; 卢励吾 Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1113/141  |  提交时间:2009/06/11 |
| 两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1496/207  |  提交时间:2011/08/31 |
| 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010171382.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘小宇; 马文全; 张艳华; 种明 Adobe PDF(355Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1584/275  |  提交时间:2011/08/31 |
| 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠 Adobe PDF(624Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1345/140  |  提交时间:2011/08/31 |