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SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  顾宇翔
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超陡峭亚阈值摆幅压电晶体管仿真研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  龙宇雄
Adobe PDF(15080Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：432/2  |  提交时间：2021/06/16
超陡峭亚阈值摆幅压电晶体管仿真研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  龙宇雄
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氮化硼点缺陷压力光谱及InAs单量子点单轴应力光谱研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  赵晓宇
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高质量 GaAs 纳米线及全闪锌矿结构 GaAs/(Ga,Mn)As核-壳同轴纳米线分子束外延生长与表征 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  俞学哲
Adobe PDF(4856Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1288/67  |  提交时间：2013/06/20