已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1527/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵 Adobe PDF(239Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1453/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010564545.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘扬; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1409/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 异质掩埋激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟 Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1433/246  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备高速电吸收调制器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810225782.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张伟; 潘教青; 汪洋; 朱洪亮 Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1408/191  |  提交时间:2011/08/31 |
| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1405/219  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1246/207  |  提交时间:2012/09/09 |
| 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1332/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1218/163  |  提交时间:2012/09/09 |
| 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1209/183  |  提交时间:2012/09/09 |