×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
半导体集成技术工程研... [5]
作者
文献类型
专利 [5]
发表日期
语种
中文 [1]
出处
资助项目
收录类别
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
文献类型:专利
专题:半导体集成技术工程研究中心
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
专题:中国科学院半导体研究所
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人:
彭文博
;
曾湘波
;
刘石勇
;
姚文杰
;
谢小兵
;
肖海波
;
杨萍
;
王超
;
俞育德
Adobe PDF(429Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1433/250
  |  
提交时间:2012/09/07
基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:
司朝伟
;
韩国威
;
宁瑾
;
刘晓东
Adobe PDF(414Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:768/95
  |  
提交时间:2014/10/31
采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:
司朝伟
;
韩国威
;
宁瑾
;
刘晓东
Adobe PDF(349Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:752/115
  |  
提交时间:2014/10/31
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
贾利芳
;
何志
;
刘志强
;
李迪
;
樊中朝
;
程哲
;
梁亚楠
;
王晓东
;
杨富华
Adobe PDF(683Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:684/5
  |  
提交时间:2016/08/30
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
贾利芳
;
何志
;
刘志强
;
李迪
;
樊中朝
;
程哲
;
梁亚楠
;
王晓东
;
杨富华
Adobe PDF(571Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:657/5
  |  
提交时间:2016/08/30