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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Local environment of Er3+ in Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 films
作者: Bian LF;  Zhang CG;  Chen WD;  Hsu CC;  Shi TF
发表日期: 2006
摘要: The local environment of Er3+ in heavily Er-doped (Er, 2.5 at. %) Si nanoclusters embedded in SiO2 films annealed at various temperatures was investigated by using the fluorescence-extended x-ray absorption fine structure spectroscopy. The results show that annealing caused a large effect on the local environment of Er3+ surrounded by O atoms and the 1.54 mu m photoluminescence intensity. The correlation between the local environment around Er3+ and the corresponding 1.54 mu m photoluminescence was discussed. (c) 2006 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Bian, LF (Bian, Liu-Fang); Zhang, CG (Zhang, C. G.); Chen, WD (Chen, W. D.); Hsu, CC (Hsu, C. C.); Shi, TF (Shi, Tongfei) .Local environment of Er3+ in Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 films ,APPLIED PHYSICS LETTERS,DEC 4 2006,89 (23):Art.No.231927
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