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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Exciton localization due to isoelectronic substitution in ZnSTe
作者: Xu ZY;  Yang XD;  Sun Z;  Sun BQ;  Ji Y;  Li GH;  Sou IK;  Ge WK
发表日期: 2007
摘要: We have systematically investigated the optical properties of isoelectronic centers (IECs) of ZnSTe in the whole composition range from ZnS to ZnTe. In the S-rich ZnSTe photoluminescence is dominated by Te-bound excitons, while in Te-rich side, S-related bound exciton emission dominates the radiative recombination. Localization nature of IEC bound exciton emissions in both S-rich and Te-rich side ZnSTe alloys are studied in detail. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Pressure
刊名: JOURNAL OF LUMINESCENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, Z (Sun, Z.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Li, GH (Li, G. H.); Sou, IK (Sou, I. K.); Ge, WK (Ge, W. K.) .Exciton localization due to isoelectronic substitution in ZnSTe ,JOURNAL OF LUMINESCENCE,JAN-APR 2007,122 Sp.Iss.SI (0):402-404
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