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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed InP
作者: Zhao, YW (Zhao, Youwen);  Dong, ZY (Dong, Zhiyuan);  Miao, SS (Miao, Shanshan);  Deng, AH (Deng, Aihong);  Yang, J (Yang, Jun);  Wang, B (Wang, Bo)
发表日期: 2006
摘要: Deep level defects in annealed InP have been studied by using photoluminescence spectroscopy (PL), thermally stimulated current (TSC), deep level transient spectroscopy (DLTS), and positron annihilation lifetime (PAL). A noticeable broad PL peak centered at 1.3 eV has been observed in the InP sample annealed in iron phosphide ambient. Both the 1.3 eV PL emission and a defect at E-C-0.18 eV correlate with a divacancy detected in the annealed InP sample. The results make a divacancy defect and related property identified in the annealed InP. (c) 2006 American Institute of Physics.
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao, YW (Zhao, Youwen); Dong, ZY (Dong, Zhiyuan); Miao, SS (Miao, Shanshan); Deng, AH (Deng, Aihong); Yang, J (Yang, Jun); Wang, B (Wang, Bo) .Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed InP ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,DEC 15 2006,100 (12):Art.No.123519
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