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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Identification of vacancies in electron irradiated GaSb by coincidence Doppler broadening spectroscopy
作者: Shao, YD (Shao, Y. D.);  Wang, Z (Wang, Z.);  Dai, YQ (Dai, Y. Q.);  Zhao, YW (Zhao, Y. W.);  Tang, FY (Tang, F. Y.)
发表日期: 2007
摘要: In this paper we present the results of coincidence Doppler broadening (CDB) measurements and positron lifetime spectroscopy (PLS) on the semiconductor material GaSb. Gallium vacancy with positron lifetime of about 283 ps (V-Ga, (283 ps)) was identified in as-grown sample by CDB technique and PAS technique. For electron irradiated samples with dosages of 10(17) cm(-2) and 10(18) cm(-2), the PAS showed almost the same defectrelated positron lifetime of about 285 ps. CDB experiments indicated that defects in irradiated samples were related to Ga vacancies. (c) 2006 Published by Elsevier B.V.
刊名: MATERIALS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Shao, YD (Shao, Y. D.); Wang, Z (Wang, Z.); Dai, YQ (Dai, Y. Q.); Zhao, YW (Zhao, Y. W.); Tang, FY (Tang, F. Y.) .Identification of vacancies in electron irradiated GaSb by coincidence Doppler broadening spectroscopy ,MATERIALS LETTERS,FEB 2007,61 (4-5):1187-1189
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