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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD
作者: Jahn U (Jahn Uwe);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Ploog KH (Ploog Klaus H.);  Wang XL (Wang Xiaolan);  Zhao DG (Zha0 Degang);  Yang H (Yang, Hui)
发表日期: 2007
摘要: For both, (Al,Ga)N with low Al content grown on a GaN nucleation layer and (AI,Ga)N with high Al content gown on an AlN nucleation layer, the inhomogeneous distribution of the luminescence is linked to the distribution of defects, which may be due to inversion domains. In the former system, defect regions exhibit a much lower Al content than the nominal one leading to a splitting of the respective luminescence spectra. In the latter system, a domain-like growth is observed with a pyramidal surface morphology and non-radiative recombination within the domain boundaries. (c) 2007 WILEYNCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
KOS主题词: Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating
刊名: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Jahn, U (Jahn, Uwe); Jiang, DS (Jiang, De-Sheng); Ploog, KH (Ploog, Klaus H.); Wang, XL (Wang, Xiaolan); Zha, DG (Zha, Degang); Yang, H (Yang, Hui) .Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD ,PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE,JAN 2007 ,204 (1):294-298
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