高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Simultaneous Q switching and mode locking with narrow envelope width in a microchip Nd : YVO4 laser with a composite semiconductor absorber
作者: Peng, JY (Peng, J. Y.);  Tan, HM (Tan, H. M.);  Wang, YG (Wang, Y. G.);  Wang, BS (Wang, B. S.);  Miao, JG (Miao, J. G.);  Qian, LS (Qian, L. S.);  Ma, XY (Ma, X. Y.)
发表日期: 2006
摘要: By using a composite semiconductor absorber and an output coupler, we demonstrated a Q-switched and mode-locked diode-pumped microchip Nd:YVO4 laser. With a 350-mu m-thick crystal, the width of the Q-switched envelope was as short as 12 ns; the repetition rate of the mode-locked pulses inside the Q-switched pulse was more than 10 GHz. The average output power was 335 mW at a maximum pump power of 1.6 W. Q-switched envelope widths of 21 and 31 ns were also achieved with crystals 0.7 and 1.0 mm thick, respectively.
刊名: LASER PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
2183.pdf135KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Peng, JY (Peng, J. Y.); Tan, HM (Tan, H. M.); Wang, YG (Wang, Y. G.); Wang, BS (Wang, B. S.); Miao, JG (Miao, J. G.); Qian, LS (Qian, L. S.); Ma, XY (Ma, X. Y.) .Simultaneous Q switching and mode locking with narrow envelope width in a microchip Nd : YVO4 laser with a composite semiconductor absorber ,LASER PHYSICS,DEC 2006,16 (12):1601-1604
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Peng, JY (Peng, J. Y.)]的文章
 [Tan, HM (Tan, H. M.)]的文章
 [Wang, YG (Wang, Y. G.)]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Peng, JY (Peng, J. Y.)]的文章
 [Tan, HM (Tan, H. M.)]的文章
 [Wang, YG (Wang, Y. G.)]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发