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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors
作者: Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Liang JW;  Yang H;  Li X;  Li XY;  Gong HM
发表日期: 2007
摘要: The influence of defects on the responsivity of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors with n(-)-GaN/n(+)-GaN layer structures is investigated. It is found that employing undoped GaN instead of Si-doped GaN as the n(-)-GaN layer brings about a higher responsivity due to a lower Ga vacancy concentration. On the other hand, the dislocations may increase the recombination of electron-hole pairs and enhance the surface recombination in the photodetectors. Employing undoped GaN and reducing the dislocation density in the n(-)-GaN layer are necessary to improve the responsivity of Schottky barrier photodetectors. (c) 2007 American Institute of Physics.
KOS主题词: Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao, DG (Zhao, D. G.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Liu, ZS (Liu, Z. S.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Liang, JW (Liang, J. W.); Yang, H (Yang, Hui); Li, X (Li, X.); Li, XY (Li, X. Y.); Gong, HM (Gong, H. M.) .Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors ,APPLIED PHYSICS LETTERS,FEB 5 2007,90 (6):Art.No.062106
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