高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Unusual carrier thermalization in a dilute GaAs1-xNx alloy
作者: Tan PH;  Xu ZY;  Luo XD;  Ge WK;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW
发表日期: 2007
摘要: Photoluminescence (PL) properties of the E-0, E-0+Delta(0), and E+ bands in an x=0.62% GaAs1-xNx alloy were investigated in detail, including their peak position, linewidth, and line shape dependences on the excitation energy, excitation power, and temperature, using micro-PL. The hot electrons within the E+ band are found to exhibit highly unusual thermalization, which results in a large blueshift in its PL peak energy by >2k(B)T, suggesting peculiar density of states and carrier dynamics of the E+ band.
KOS主题词: Photoluminescence
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
2177.pdf323KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Tan, PH (Tan, P. H.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Luo, XD (Luo, X. D.); Ge, WK (Ge, W. K.); Zhang, Y (Zhang, Y.); Mascarenhas, A (Mascarenhas, A.); Xin, HP (Xin, H. P.); Tu, CW (Tu, C. W.) .Unusual carrier thermalization in a dilute GaAs1-xNx alloy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,FEB 5 2007,90 (6):Art.No.061905
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Tan PH]的文章
 [Xu ZY]的文章
 [Luo XD]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Tan PH]的文章
 [Xu ZY]的文章
 [Luo XD]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发