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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Analysis of temperature dependence of silicon-on-insulator thermo-optic attenuator
作者: Li YT (Li Yun-Tao);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Chen YY (Chen Yuan-Yuan);  Sun F (Sun Fei);  Chen SW (Chen Shao-Wu)
发表日期: 2007
摘要: The temperature dependence of silicon-on-insulator thermo-optic attenuators is analysed, which originates from the temperature dependence of characteristics of multimode interference. The attenuator depth and power consumption are independent of temperature while the insertion loss depends on the temperature heavily. The variation of the insertion loss decreases from 4.3 dB to 1 dB as the temperature increases from 273 K to 343 K.
KOS主题词: switch
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li, YT (Li Yun-Tao); Yu, JZ (Yu Jin-Zhong); Chen, YY (Chen Yuan-Yuan); Sun, F (Sun Fei); Chen, SW (Chen Shao-Wu) .Analysis of temperature dependence of silicon-on-insulator thermo-optic attenuator ,CHINESE PHYSICS LETTERS,FEB 2007,24 (2):465-467
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