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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Enhanced near-infrared photoluminescence from isoelectronic luminescent centers in sulfur-implanted silicon with copper or silver coimplantation
作者: Zhang JG;  Wang XX;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Hau J;  Ding L;  Ge WK
发表日期: 2007
摘要: Enhanced near-infrared photoluminescence (PL) from sulfur-related isoelectronic luminescent centers in silicon was observed from thermally quenched sulfur-implanted silicon in which additional copper or silver ions had been coimplanted. The PL from the sulfur and copper coimplanted silicon peaked between 70 and 100 K and persisted to 260 K. This result strongly supports the original conjecture from the optical detection of magnetic resonance studies that the strong PL from sulfur-doped silicon comes from S-Cu isoelectronic complexes [Frens , Phys. Rev. B 46, 12316 (1992); Mason , ibid. 58, 7007 (1998).]. (c) 2007 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang, JG (Zhang, J. G.); Wang, XX (Wang, X. X.); Cheng, BW (Cheng, B. W.); Yu, JZ (Yu, J. Z.); Wang, QM (Wang, Q. M.); Hau, J (Hau, J.); Ding, L (Ding, L.); Ge, WK (Ge, W. K.) .Enhanced near-infrared photoluminescence from isoelectronic luminescent centers in sulfur-implanted silicon with copper or silver coimplantation ,APPLIED PHYSICS LETTERS,FEB 19 2007,90 (8):Art.No.081101
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