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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth of AlGaN epitaxial film with high Al content by metalorganic chemical vapour deposition
作者: Wang XL (Wang Xiao-Lan);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Jun-Wu)
发表日期: 2007
摘要: A high-Al-content AlGaN epilayer is grown on a low-temperature-deposited AlN buffer on (0001) sapphire by low pressure metalorganic chemical vapour deposition. The dependence of surface roughness, tilted mosaicity, and twisted mosaicity on the conditions of the AlGaN epilayer deposition is evaluated. An AlGaN epilayer with favourable surface morphology and crystal quality is deposited on a 20 nm low-temperature-deposited AlN buffer at a low V/III flow ratio of 783 and at a low reactor pressure of 100 Torr, and the adduct reaction between trimethylaluminium and NH3 is considered.
KOS主题词: Light emitting diodes
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang, XL (Wang Xiao-Lan); Zhao, DG (Zhao De-Gang); Yang, H (Yang Hui); Liang, JW (Liang Jun-Wu) .Growth of AlGaN epitaxial film with high Al content by metalorganic chemical vapour deposition ,CHINESE PHYSICS LETTERS,MAR 2007,24 (3):774-777
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