高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Anomalous photoluminescence of InAs quantum dots implanted by Mn ions
作者: Hu LJ;  Chen YH;  Ye XL;  Huang XQ;  Liang LY;  Ding F;  Wang ZG
发表日期: 2007
摘要: The photoluminescence (PL) of Mn-implanted quantum dot (QD) samples after rapid annealing is studied. It is found that the blue shift of the PL peak of the QDs, introduced by the rapid annealing, decreases abnormally as the implantation dose increases. This anomaly is probably related to the migration of Mn atoms to the InAs QDs during annealing, which leads to strain relaxation when Mn atoms enter InAs QDs or to the suppression of the inter-diffusion of In and Ga atoms when Mn atoms surround QDs. Both effects will suppress the blue shift of the QD PL peaks. The temperature dependence of the PL intensity of the heavily implanted QDs confirms the existence of defect traps around the QDs. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Photoluminescence
刊名: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
2148.pdf205KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Hu, LJ (Hu, L. J.); Chen, YH (Chen, Y. H.); Ye, XL (Ye, X. L.); Huang, XQ (Huang, X. Q.); Liang, LY (Liang, L. Y.); Ding, F (Ding, F.); Wang, ZG (Wang, Z. G.) .Anomalous photoluminescence of InAs quantum dots implanted by Mn ions ,PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES,FEB 2007,36 (2):221-225
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Hu LJ]的文章
 [Chen YH]的文章
 [Ye XL]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Hu LJ]的文章
 [Chen YH]的文章
 [Ye XL]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发