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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The effects of LT AlN buffer thickness on the optical properties of AlGaN grown by MOCVD and Al composition inhomogeneity analysis
作者: Wang, XL (Wang, X. L.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Jahn, U (Jahn, U.);  Ploog, K (Ploog, K.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, H.);  Liang, JW (Liang, J. W.)
发表日期: 2007
摘要: We have investigated the growth of AlGaN epilayers on a sapphire substrate by metalorganic chemical vapour deposition using various low-temperature ( LT) AlN buffer thicknesses. Combined scanning electron microscopy and cathodoluminescence investigations reveal the correlation between the surface morphology and optical properties of AlGaN films in a microscopic scale. It is found that the suitable thickness of the LT AlN buffer for high quality AlGaN growth is around 20 nm. The Al compositional inhomogeneity of the AlGaN epilayer is attributed to the low lateral mobility of Al adatoms on the growing surface.
KOS主题词: Photodiodes
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang, XL (Wang, X. L.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, K (Ploog, K.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Yang, H (Yang, H.); Liang, JW (Liang, J. W.) .The effects of LT AlN buffer thickness on the optical properties of AlGaN grown by MOCVD and Al composition inhomogeneity analysis ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,FEB 21 2007,40 (4):1113-1117
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