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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Evolution of InAs/GaAs(001) islands during the two- to three-dimensional growth mode transition in molecular-beam epitaxy
作者: Wu, J (Wu, J.);  Jin, P (Jin, P.);  Jiao, YH (Jiao, Y. H.);  Lv, XJ (Lv, X. J.);  Wang, ZG (Wang, Z. G.)
发表日期: 2007
摘要: A detailed observation was made using atomic force microscopy on the two- to three-dimensional (2D-3D) growth mode transition in the molecular-beam epitaxy of InAs/GaAs(001). The evolution of the 3D InAs islands during the 2D-3D mode transition was divided into two successive phases. The first phase may be explained in terms of a critical phenomenon of the second-order phase transition.
刊名: NANOTECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wu, J (Wu, J.); Jin, P (Jin, P.); Jiao, YH (Jiao, Y. H.); Lv, XJ (Lv, X. J.); Wang, ZG (Wang, Z. G.) .Evolution of InAs/GaAs(001) islands during the two- to three-dimensional growth mode transition in molecular-beam epitaxy ,NANOTECHNOLOGY,APR 25 2007,18 (16):Art.No.165301
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