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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Directional-coupler-based Mach-Zehnder interferometer in silicon-on-insulator technology for optical intensity modulation
作者: Sun F (Sun Fei);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Chen SW (Chen Shaowu)
发表日期: 2007
摘要: Based on silicon-on-insulator (SOI) technology, a Mach-Zehnder interferometer (MZI) is fabricated, in which two directional couplers serve as power splitter and combiner. The free carrier plasma dispersion effect of Si is adopted to achieve the phase modulation and the consequent intensity modulation of optical fields. The device presents an insertion loss of 2.61 dB and an extinction ratio of 19.6 dB. The rise time and fall time are 676 ns and 552 ns, respectively. Detailed analysis and explanation of the performance behaviors are also presented. (c) 2007 Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers.
刊名: OPTICAL ENGINEERING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Sun, F (Sun, Fei); Yu, JZ (Yu, Jinzhong); Chen, SW (Chen, Shaowu) .Directional-coupler-based Mach-Zehnder interferometer in silicon-on-insulator technology for optical intensity modulation ,OPTICAL ENGINEERING,FEB 2007,46 (2):Art.No.025601
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