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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electric field tunable electron g factor and high asymmetrical Stark effect in InAs1-xNx quantum dots
作者: Zhang, XW (Zhang, X. W.);  Fan, WJ (Fan, W. J.);  Li, SS (Li, S. S.);  Xia, JB (Xia, J. B.)
发表日期: 2007
摘要: The electronic structure, electron g factor, and Stark effect of InAs1-xNx quantum dots are studied by using the ten-band k center dot p model. It is found that the g factor can be tuned to be zero by the shape and size of quantum dots, nitrogen (N) doping, and the electric field. The N doping has two effects on the g factor: the direct effect increases the g factor and the indirect effect decreases it. The Stark effect in quantum ellipsoids is high asymmetrical and the asymmetry factor may be 319. (c) 2007 American Institute of Physics.
KOS主题词: Optical properties
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang, XW (Zhang, X. W.); Fan, WJ (Fan, W. J.); Li, SS (Li, S. S.); Xia, JB (Xia, J. B.) .Electric field tunable electron g factor and high asymmetrical Stark effect in InAs1-xNx quantum dots ,APPLIED PHYSICS LETTERS,APR 9 2007,90 (15):Art.No.153103
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