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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Giant and zero electron g factors of dilute nitride semiconductor nanowires
作者: Zhang XW;  Fan WJ;  Li SS;  Xia JB
发表日期: 2007
摘要: The electronic structures and electron g factors of InSb1-sNs and GaAs1-sNs nanowires and bulk material under the magnetic and electric fields are investigated by using the ten-band k.p model. The nitrogen doping has direct and indirect effects on the g factors. A giant g factor with absolute value larger than 900 is found in InSb1-sNs bulk material. A transverse electric field can increase the g factors, which has obviously asymmetric effects on the g factors in different directions. An electric field tunable zero g factor is found in GaAs1-sNs nanowires. (C) 2007 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang, XW (Zhang, X. W.); Fan, WJ (Fan, W. J.); Li, SS (Li, S. S.); Xia, JB (Xia, J. B.) .Giant and zero electron g factors of dilute nitride semiconductor nanowires ,APPLIED PHYSICS LETTERS,MAY 7 2007,90 (19):Art.No.193111
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