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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence from Er-doped Si-in-SiNx thin films
作者: Bian LF;  Zhang CG;  Chen WD;  Hsu CC;  Ma LB;  Song R;  Cao ZX
发表日期: 2007
摘要: Photoluminescence from Er3+-implanted Si-in-SiN, films emitting efficiently visible light were investigated. A Stark structure in the Er3+ photoluminescence spectrum was observed at room temperature, which reveals more than one site symmetry for the Er3+-centers in the Si-in-SiN, matrix. The correlation between the visible photoluminescence from the silicon nanoparticles and the 1.54 mu m emission from the Er3+-centers was discussed. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Photoluminescence
刊名: OPTICAL MATERIALS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Bian, LF (Bian, Liu Fang); Zhang, CG (Zhang, C. G.); Chen, WD (Chen, W. D.); Hsu, CC (Hsu, C. C.); Ma, LB (Ma, L. B.); Song, R (Song, R.); Cao, ZX (Cao, Z. X.) .Photoluminescence from Er-doped Si-in-SiNx thin films ,OPTICAL MATERIALS,APR 2007,29 (8):1071-1074
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