高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fabrication of ultra-low density and long-wavelength emission InAs quantum dots
作者: Huang, SS (Huang, Shesong);  Niu, ZC (Niu, Zhichuan);  Ni, HQ (Ni, Haiqiao);  Xiong, YH (Xiong, Yonghua);  Zhan, F (Zhan, Feng);  Fang, ZD (Fang, Zhidan);  Xia, JB (Xia, Jianbai)
发表日期: 2007
摘要: By optimizing the molecular beam epitaxy growth conditions of self-organized InAs/GaAs quantum dots (QDs), we obtained an ultra-low density system of InAs QDs (4 x 10(6)cm(-2)). Photoluminescence (PL) spectroscopy reveals the emission wavelength at room temperature to be longer than 1300 nm with a GaAs capping layer. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
2107.pdf698KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Huang, SS (Huang, Shesong); Niu, ZC (Niu, Zhichuan); Ni, HQ (Ni, Haiqiao); Xiong, YH (Xiong, Yonghua); Zhan, F (Zhan, Feng); Fang, ZD (Fang, Zhidan); Xia, JB (Xia, Jianbai) .Fabrication of ultra-low density and long-wavelength emission InAs quantum dots ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,APR 2007,301(0):751-754
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Huang, SS (Huang, Shesong)]的文章
 [Niu, ZC (Niu, Zhichuan)]的文章
 [Ni, HQ (Ni, Haiqiao)]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Huang, SS (Huang, Shesong)]的文章
 [Niu, ZC (Niu, Zhichuan)]的文章
 [Ni, HQ (Ni, Haiqiao)]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发