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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effects of Ag on electrical properties of Ag/Ni/p-GaN ohmic contact
作者: Zhao DS (Zhao De-Sheng);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Duan LH (Duan Li-Hong);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Liu WB (Liu Wen-Bao);  Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
发表日期: 2007
摘要: Properties of the Ag/Ni/p-GaN structure at different temperatures are studied by Auger electron spectroscopy, scanning electron microscopy and high resolution x-ray diffraction. The effect of Ag in ohmic contact on the crystalline quality is investigated and the optimized value of annealing temperature is reported. The lowest specific contact resistance of 2.5 x 10(-4) Omega cm(2) is obtained at annealing temperature of 550 degrees C.
KOS主题词: Light emitting diodes
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao, DS (Zhao De-Sheng); Zhang, SM (Zhang Shu-Ming); Duan, LH (Duan Li-Hong); Wang, YT (Wang Yu-Tian); Jiang, DS (Jiang De-Sheng); Liu, WB (Liu Wen-Bao); Zhang, BS (Zhang Bao-Shun) .Effects of Ag on electrical properties of Ag/Ni/p-GaN ohmic contact ,CHINESE PHYSICS LETTERS,JUN 2007,24 (6):1741-1744
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