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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition
作者: Wang XL;  Zhao DG;  Jiang DS;  Yang H;  Liang JW;  Jahn U;  Ploog K
发表日期: 2007
摘要: The A1 compositional distribution of A1GaN is investigated by cathodoluminescence (CL). Monochromatic CL images and CL spectra reveal a lateral A1 compositional inhomogeneity, which corresponds to surface hexagonal patterns. Cross-sectional CL images show a relatively uniform Al compositional distribution in the growth direction, indicating columnar growth mode of A1GaN films. In addition, a thin A1GaN layer with lower Al composition is grown on top of the buffer A1N layer near the bottom of the A1GaN epilayer because of the larger lateral mobility of Ga adatoms on the growth surface and their accumulation at the grain boundaries.
KOS主题词: Aluminum oxide
刊名: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang, XL (Wang, X. L.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Yang, H (Yang, H.); Liang, JW (Liang, J. W.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, K (Ploog, K.) .Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition ,JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,MAY 2 2007,19 (17):Art.No.176005
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